Intel、Micronの新しい3D NANDフラッシュメモリが10テラバイトのSSDを生み出す

NAND型フラッシュメモリは、あなたのハートレースに役立つ技術のタイプではありませんが、ソリッドステートストレージをより高密度にするというブレークスルーは、より小さな記憶領域でより多くのストレージを絞ることができるということを意味します。サムスンは3D NAND技術をフラッシュメモリの最新動向とすることに最も関連してきたが、インテルとマイクロンの長年のパートナーは、同等の印象的な結果をもたらす可能性のある共同作業の結果を発表したばかりである。

大規模なデータの増加とリアルタイム情報の需要は、これまで以上に企業のストレージに大きな圧力をかけています。

この言葉が示唆するように、3D NANDはフラッシュモジュールの製造に新しい次元を追加します。セルを垂直方向に積み重ねることで、密度が向上し、同じ寸法でより多くの容量が可能になります。 IntelとMicronは、3D NAND製造で初めて浮遊ゲート・セルを使用することにより、このプロセスをさらに洗練させました。

ソリッドステートは最大3.5テラバイトのデータを格納できるスティックのサイズを駆動し、10TBを収容できる2.5インチSSDを実現します。 IntelとMicronは、新しいプロセスが競合する3D NANDアプリケーションに比べて容量を3倍に向上させると言います。

フラッシュストレージがすべてのタイプのコンピューティングデバイスに浸透しているため、ソリッドステートストレージの改善により、スマートフォンからエンタープライズサーバーにいたるまであらゆるものが影響を受けます。近い将来、インテルがubiquitousストレージと呼んでいるのは、従来の磁気ベースのハードドライブのストレージを完全に排除するものではありません。結局のところ、約束された10TB SSDは、データセンター用に設計された10TBのハードドライブにすでに対応しています。

IntelとMicronは、3D NAND技術をベースにした256Gb MLCフラッシュはすでにサンプリングを開始しており、384Gb TLCバージョンは春の後半にサンプリングを開始するとしている。両社は、これらのモジュールを使用するデバイスは、第4四半期に生産されるとしており、個々のSSDドライブは来年中に登場する予定です。

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